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1前言

半導(dǎo)體膜是指由半導(dǎo)體材料形成的薄膜。隨著制備半導(dǎo)體薄膜的技術(shù)不同，在結(jié)構(gòu)上可分為單晶，多晶和無(wú)定形薄膜。半導(dǎo)體材料是微電子和光電子器件的主要材料，特別是大規(guī)模集成電路芯片上元件的集成度越來(lái)越高，元件的尺寸越來(lái)越小，半導(dǎo)體薄膜是構(gòu)成這類器件的基本材料 。我們選擇一種半導(dǎo)體薄膜材料，探索最適合的消解參數(shù)，有利于后續(xù)對(duì)多種無(wú)機(jī)元素的快速準(zhǔn)確測(cè)定。

2儀器與試劑

2.1 儀器

新儀MASTER-18微波消解儀，趕酸器，分析天平(十萬(wàn)分之一)等。

2.2 試劑

硝酸(68%)，氫氟酸（40%）

3實(shí)驗(yàn)方法

精確稱取半導(dǎo)體薄膜材料50mg（精確至0.1mg），緩慢滴加8mL硝酸（劇烈反應(yīng)，釋放氣體），靜置10min左右，待無(wú)明顯反應(yīng)后，補(bǔ)加2mL氫氟酸，組裝消解罐，按照如下設(shè)置參數(shù)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)：

實(shí)驗(yàn)結(jié)束后，待冷卻至60℃以下，取出消解罐轉(zhuǎn)移至通風(fēng)櫥中緩慢打開(kāi)，趕酸稀釋后，樣品可完全消解至澄清透明狀態(tài)。

4結(jié)果

實(shí)驗(yàn)選取的半導(dǎo)體薄膜材料樣品，取樣為50mg，加入硝酸靜置后，補(bǔ)加氫氟酸，最高實(shí)驗(yàn)溫度210℃，保溫40min左右，樣品可完全消解。

5注意

1）添加氫氟酸進(jìn)行實(shí)驗(yàn)后，需進(jìn)行趕酸處理，防止氫氟酸對(duì)玻璃器皿造成腐蝕，也可能會(huì)對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果造成影響。

2）添加硝酸后樣品反應(yīng)劇烈，實(shí)驗(yàn)過(guò)程中應(yīng)緩慢加入或者分多次加入硝酸，同時(shí)實(shí)驗(yàn)人員需做好防護(hù)。